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CCD-Sensoren |
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Der Begriff "CCD" heißt übersetzt "Charge-coupled Device" (ladungsgekoppeltes Bauteil) und ist eine elektronische Baugruppe, die in der Lage ist, elektronische Ladungen zu transportieren. Diese Technik wurde im Jahr 1969 in den Bell Laboratories von Willard Boyle und George E. Smith als reine Datenspeichermöglichkeit erfunden, hat sich aber für Speicherzwecke niemals technisch durchgesetzt. Dieses Prinzip wird jedoch bis heute erfolgreich benutzt, um die Ladungen, die durch Belichtung auf einem Halbleiter durch den "inneren photonischen Effekt" entstanden sind, mit Hilfe sehr vieler kleiner Schritte (vertikale und horizontale Schieberegister) zu einem zentralen A/D-Wandler mit einer Art "Eimerketten-Prinzip" zu transportieren. Die Ladungsverschiebung wird mit Hilfe von Elektroden durch Anlegen von elektrischen Potentialen von außen erzwungen:
(Für diese fundamental wichtige Erfindung erhielten Willard Boyle und George E. Smith 40 Jahre nach der Entdeckung dieses Effekts den Nobelpreis für Physik 2009.) Ein Bildsensor, der dieses Prinzip zum Verschieben und Auslesen der Ladungen der lichtaktiven Pixel anwendet, wird "CCD-Sensor" genannt. Die Frequenz, wie oft der Sensor pro Sekunde der in der Lage ist, die Ladung um einen Pixel weiter zu transportieren, wird "Pixel clock" genannt. Die Frequenzen, mit den CCDs heute betrieben werden, betragen rund 25 bis 50 MHz.
Vereinfachtes Funktionsprinzip der LichtempfindlichkeitDer innere photoelektrische Effekt ist fundamental für die Funktionsweise des Sensors. Die Atome des Siliziumkristalls befinden sich diskreten Energiebändern, das energetisch niedrigere wird Valenzband, das energetisch höhere wird als Leitungsband bezeichnet. Im Grundzustand befinden sich die meisten Elektronen im Valenzband, können jedoch durch Anregung von außen in das Leitungsband befördert werden. Die dazu benötigte Energie beträgt 1.26 eV oder mehr. Im CCD-Sensor kann dieser Übergang durch Licht, aber auch durch höhere Wärmezufuhr (Dunkelrauschen des Sensors) angeregt werden. (Hinweis: 1.26eV entsprechen etwa der Energie von Infrarot-Strahlung mit der Wellenlänge von 1µm. Langwelligeres Licht kann das Silizium ohne Absorption durchdringen, es wird quasi durchsichtig ab diesen Wellenlänge und unempfindlich.) Bei der Anregung entstehen gleichzeitig freie Elektronen (negativ) und positiv geladene „Löcher" im Valenzband, die sich aufgrund einer angelegten Spannung voneinander trennen. Diese Ladungen fließen jedoch nicht sofort nach außen ab, (wie bei einer Fotodiode am CMOS-Sensor), sondern werden in der Speicherzelle selbst gesammelt. Mittels oben beschriebener Ladungsverschiebung wird durch den gesamten Sensor in vielen kleinen Schritten bis zu einem zentralen Verstärker / AD-Wandler die Ladung hindurch getaktet.
Typischer Sensoraufbau von CCD-SensorenAllgemein werden einige typische CCD-Sensor-Bauarten unterschieden, die auf weiteren Homepage-Seiten beschrieben werden: von denen sich in der industriellen Bildverarbeitung vor allem der so genannte "Interline Transfer Sensor" durchgesetzt hat.
Nur dieser kann sehr schnelle Bildraten mit Hilfe einer "elektronischen Shutterfunktion" aufnehmen und wird daher in 99 Prozent der CCD-Industriekameras für die industrielle BV verwendet. Frame Transfer-CCDs und Full Frame Transfer CCDs kommen heute vor allem noch bei wissenschaftlichen Anwendungen mit geringen Bildwiederholraten vor, wo extrem hohe Lichtempfindlichkeit das Hauptkriterium darstellt.
Vor- und Nachteile der CCD-SensortechnikDa die Umwandlung der Ladung in Spannung für jedes Pixel durch eine einzigen zentralen Verstärker/ AD-Wandler erfolgt, entstehen im Vergleich zum CMOS-Sensor viele Vorteile und Nachteile: Vorteile
Nachteile
Wichtig für die industrielle Bildverarbeitung
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